sustratos IC China

IC Substrates Asia

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IC Substrates China
sustratos IC China

Número de pieza: E0276060139A
Espesor del sustrato: 0.11+/-0.03mm
Número de capas: 2 capas
Material: SI10U
Traza mínima: 180 um
Espacio mínimo: 30 um
Agujero mínimo: 0,15 mm
Superficie acabada: ENEPIG
Tamaño de la unidad: 2.3 * 1.96mm

BT materia prima, sustratos IC

Cómo producir sustratos IC Sirve principalmente como un portador del chip.


Fuerza bruta El se utiliza para ser el estándar de oro en sustrato IC diseño que puede aprovechar para cumplir con los estándares de los sistemas electrónicos de hoy en día.
Cuando se considera todo, desde el envasado a escala de obleas hasta dispositivos de borde, la ruta de producción abarca la ciencia de los materiales, la ingeniería superficial y la imagen de alta precisión, particularmente importante para MEMS, lógica avanzada y módulos de RF.

Ingeniería de materiales y apilamiento para sustrato IC

Para diseñar un sustrato que funcione bajo presión real, el primer paso es elegir los materiales apropiados y definir el apilamiento.

  • Selección de núcleo: Resina epoxídica de alta TG, resina BT o refuerzo de vidrio con baja pérdida para señales de alta velocidad y ciclos térmicos.
  • Láminas de cobre: cobre súper plano, de baja rugosidad para líneas finas / espacios y baja atenuación en aplicaciones de RF de sustrato IC .
  • Películas dieléctricas: laminados de bajo Dk y bajo Df comprimidos para el control de la impedancia, que es una parte integral de la fidelidad de la interfaz MEMS y la detección de precisión.
  • Máscara de soldadura y acabados superficiales: ENEPIG o ENIG para fiabilidad de unión y cableabilidad, y OSP como opción para la mejor línea de montaje de costo.

El líder sustratos IC El fabricante en la industria lleva cada material a las normas IPC y JEDEC, confirmando la descarga de gas, la fiabilidad bajo el estrés de la humedad y el choque térmico para mantener el MEMS intacto. Patrón y vía formación de sustrato IC
Se requiere fotolitografía controlada y formación seca para interconexiones de alta densidad.
sustrato IC Fotolitografía: Precisión de alineación de alta resolución sub-10 µm para línea fina/espacio para enrutamiento de señal MEMS y suministro de energía.
Perforación láser y mecánica: Microvias (50-75 µm) producidas por CO ₂ y láseres UV; soluciones apiladas y escalonadas para la interconexión multicapa.
Activación de desmear y cobre: tratamientos químicos o de plasma proporcionan limpieza a través de las paredes y depositan una capa de semilla robusta antes de galvanizar.
Un fabricante establecido de sustratos IC También garantizará un registro estrecho y una baja resistencia a través, al tiempo que minimiza los canales MEMS sensibles a la conversación cruzada y a la deriva térmica.

sustrato IC Copper Plating & Trace Definición

La calidad de la metalización es el determinante crítico del rendimiento eléctrico.
Electroplatado: a una capacidad para el revestimiento en matrices densas, el grosor uniforme de cobre y el mantenimiento de la planaridad es crítico para la alineación de MEMS y las protuberancias de la viruta.
Grabado: La definición de borde se retiene durante el corte bajo proceso controlado por grabador en la uniformidad del conductor es limitada.
Capacidad de línea/espacio: Hasta 10/10 µm para paquetes avanzados, en todo el panel para garantizar la reproducibilidad del proceso.
Los procesos biológicos están optimizados para reducir el sesgo y la pérdida, de manera que las señales MEMS se mantienen limpias incluso durante el funcionamiento de alta frecuencia.

sustrato IC Laminación y Construcción

Los sustratos multicapa se forman mediante ciclos de calor y presión. Laminación secuencial: La construcción de capas dieléctricas y de cobre se realiza etapa por etapa para lograr apilamientos complejos con vías enterradas y vías ciegas.
Control del flujo de resina: Proporciona una infiltración sin vacío y protege las cavidades relacionadas con MEMS y los vias de silicio a través de la contaminación.
Control de deformación: la apilación equilibrada, la simetría de cobre y las telas de vidrio personalizadas mantienen los paneles planos para garantizar el pánico de alta calidad.
Un servicio completo sustratos IC proveedor actúa en deformación para cada panel y lote para asegurar la colocación y calibración de MEMS.
Acabados superficiales y preparación para el montaje
El acabado final hace que el sustrato esté listo para interconexiones robustas y fiabilidad a largo plazo.
ENEPIG: Como noble pero adecuado para la unión de alambre, flip-chip y BGA de tono fino; fantástico para matrices de sensores MEMS y pilas híbridas.

  • Control de la rugosidad del cobre: las huellas de cobre liso minimizan la pérdida de inserción; importante para los extremos frontales de RF y las referencias de temporización MEMS.
  • Enfoque de precisión de la máscara de soldadura: el registro preciso ayuda a evitar el puente de soldadura en almohadillas MEMS y matrices de micro-bump herméticamente empaquetadas.
  • El tercer nivel de control de la cadena de suministro: sustratos IC El control de calidad es tan crítico desde el prototipo hasta la producción en masa.
  • Prueba eléctrica: Prueba en circuito (TIC), prueba de sonda volante para aberturas/cortos de la red de enrutamiento MEMS, prueba de impedancia en la red de enrutamiento MEMS.
  • Paquetes de fiabilidad: ciclismo térmico, HAST, caída / choque y vibración para demostrar la idoneidad de MEMS de campo para los dispositivos industriales, automotrices y médicos. Metrología: AOI, inspección de rayos X a través de agujeros y mapa de deformación; Análisis basado en SPC para predecir y evitar la deriva.

Un estricto sustratos IC El fabricante combina el control estadístico del proceso con la trazabilidad completa del lote para un rendimiento MEMS uniforme y un análisis de fallas acelerado.
sustrato IC Características que nos hacen únicos
Aquí hay una breve descripción de las funcionalidades más confiables.

  • Acumulación de alta densidad: línea/espacio de 10/10um, microvias apiladas hasta 50um, adecuadas para MEMS, SiP e integración heterogénea.
  • Cobre ultraplano: Diseñado con baja pérdida y minimización del sesgo para sincronización MEMS sensible y rendimiento de RF.
  • Dieléctricos de bajo Dk/Df: Impedancia estable para diseños de alta velocidad; Las lecturas MEMS permanecen limpias bajo el ancho de banda.
  • Acabados premium: ENEPIG con capas gruesas de paladio para enlaces de alambre fiables para matrices MEMS y circuitos integrados de señal mixta.
  • Control de deformación: <500 µm por panel en apilamientos complejos, preservación de alineación MEMS en montaje y reflujo.
  • Garantía de fiabilidad: validación automotriz rigurosa (AEC-Q) y ciclo térmico extendido para MEMS para su uso en entornos extremos.

NPI acelerado: prototipos rápidos con la misma ventana de proceso que la producción en volumen, acelerando el desarrollo de MEMS sin comprometer la calidad.

Por qué asociarse con un MEMS enfocado sustratos IC Fabricante

Se requiere una planaridad de control más estricta, contaminación y ruido eléctrico para MEMS que para los paquetes habituales. Un especializado sustratos IC El fabricante proporciona:

  • Caminos de proceso más limpios para proteger delicadas cavidades y microestructuras MEMS.
  • Metalización uniforme y comportamiento dieléctrico para una detección fiable de MEMS a través de la temperatura y el tiempo.
  • Soporte de montaje establecido - unión de alambre, flip chip y pilas híbridas - minimizando el riesgo a lo largo del ciclo de vida del producto MEMS.

Principales Takeaways de sustrato IC

La producción de sustratos IC implica materiales de precisión, micropatrones y rigurosos controles de fiabilidad: más para MEMS.
Bueno sustratos IC El fabricante puede ofrecer el rendimiento a través de un diseño de apilamiento disciplinado, a través de la integridad, el cobre de baja pérdida y los acabados robustos.
Con un énfasis en MEMS e integración de alta densidad, los clientes reciben un comportamiento eléctrico estable, montaje limpio y operación de campo fiable.

Sensores MEMS ( Sistema Microelectromecánico ) Aplicación

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