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公司位置Shenzhen, Guangdong, China
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零件號：E0476060119A
基板厚度：0.30+/-0.05mm
層數：4層
芯材：SI643HU
焊料掩模：PSR-4000ME
最小跡線：60微米
最小空間：25微米
最小孔徑：0.15毫米
表面處理：軟金
單元尺寸：8.45*8.45mm
SI643HU產品介紹：
說明：C=濕度調節，D=蒸餾水中的浸沒調節，E=溫度調節
字母後面的第一位數位表示預處理的持續時間（小時），第二比特數位表示預熱溫度（℃），第三位數位表示相對濕度。
| 物品 | 條件 | 單元 | SI643HU | SI643U |
|---|---|---|---|---|
| 轉換語法 | 直接記憶體訪問 | ℃ | 245 | 230 |
| 眾議院議員 | 5%重量損失 | ℃ | 409 | 400 |
| CTE（Z軸） | x/y軸（α1） | ppm/℃ | ~10 | 12-13 |
| （40-260℃），z軸（α1/α2）1） | ppm/℃ | 25/143 | 27/150 | |
| 介電常數（1GHz） | - | - | 4.5 | 4.4 |
| 耗散因數（1GHz） | - | - | 0.007 | 0.007 |
| 浸焊 | 288℃ | 分鐘 | >30 | >30 |
| 剝離强度 1） | 1/3盎司，VLP銅箔 | N/mm | 0.73 | 0.8 |
| 楊氏模量 | 50℃ | 吉帕 | 25 | 22 |
| 200℃ | 吉帕 | 22 | 15 | |
| 彎曲模量 1） | 50℃ | 吉帕 | 28 | 26 |
| 200℃ | 吉帕 | 18 | 16 | |
| 吸水率 1） | A. | % | 0.17 | 0.2 |
| 85℃/85%銠，168小時 | % | 0.54 | 0.63 | |
| 易燃性 | UL-94 | 評分 | V-0 | V-0 |
| 熱導率 | - | W/（m·K） | 0.61 | 0.58 |
德州儀器（TI）於1958年發明了集成電路（IC）。隨著矽平面科技的發展，雙極型和MOS是兩種重要的集成電路被發明，標誌著管和電晶體製造時代在數量和質量上的飛躍。
MOS電晶體是金屬氧化物半導體結構電晶體的簡稱，分為P型和N型。由MOS管組成的集成電路稱為MOS集成電路。 由PMOS電晶體和NMOS電晶體組成的互補MOS集成電路稱為CMOS集成電路（complementary MOS integrated circuit）。
數位電路按導電類型可分為雙極集成電路（主要是TTL）和單極集成電路（CMOS、NMOS、PMOS等）。 對於CMOS電路，溝道的單柵極靜態功耗約為毫瓦。
COMOS是一種廣泛應用於IC晶片製造的原材料。使用CMOS科技，可以在矽片上集成成對的金屬氧化物半導體場效應電晶體（MOSFET）。 通常用於RAM和交換應用。 在電腦領域，它通常是指保存基本的電腦啟動資訊。
（如日期、時間、啟動設定等）ROM晶片。
CMOS由PMOS管和NMOS管組成，具有低功耗的特點。 由於CMOS中的柵極電路由一對MOS組成，PMOS或NMOS要麼導通，要麼兩者都關斷。比線性三極管效率高得多，囙此功耗要低得多。
